卷绕镀膜设备中旋转磁控溅射源的最大化
磁控溅射是真空沉积获得蒸发源的最广泛使用的技术。本文介绍了英国Gencoa公司一种新型的旋转磁控阴极，不同于传统的磁场设计，它拥有两个相邻旋转磁场形成的相连磁域，这种旋转阴极可以更好的利用率和更长时间的持续溅射。此相连磁域具有改变基材等离子状态、更好控制等离子区中电子的运动及减少基材的受热的优势.在考虑转换使用旋转磁控靶工艺时要仔细考虑平面磁控靶与旋转磁控靶的不同。对比了两种磁场结构及反应和非反应两种工艺制备的TCO膜层.实验表明相连磁域获得的TCO薄膜比传统磁场获得的TCO膜层具有更低的电阻率.而与陶瓷基工艺相比,室温下反应性工艺亦可得到性能更好的膜层.反应溅射工艺可以用来控制反馈系统，这个工艺路线为不同应用提供了调节TCO电学与光学性能的便利性。
氧化物导电膜层 磁控溅射 旋转磁控靶 电阻率
Dermot Monaghan V.Bellido-Gonzalez Robert Brown Alex Azzarpardi
Gencoa, Physics Rd, Liverpool, L24 9HP, UK 广州鸿创机电设备有限公司,广州市天河区体育东路138号金利来大厦1001室 广州市光机电技术研究院,广州市萝岗区科研路3号
国内会议
广东肇庆
中文
18-33
2012-12-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）