氧化锌薄膜晶体管的制备及其性能研究

摘要：

以硅单晶片作为衬底且充当栅电极,在衬底上热生长二氧化硅薄膜作为栅介质层,磁控溅射制备的氧化锌薄膜作为半导体活性层,真空蒸镀铝作为源、漏电极,成功地制备出底栅顶接触型氧化锌薄膜晶体管(ZnO TFT).该薄膜晶体管呈现出较好的场效应晶体管特性,载流子迁移率最高达8.0cm2/V.s,阈值电压为16.5v,开关电流比大于250.栅应力效应分析表明,该ZnO TFT在工作状态下具有较好的稳定性.

关键词： 场效应晶体管 氧化锌薄膜 制备工艺 电特性 稳定性

作者: 刘玉荣 任力飞 温智超 扬任花 游晓梅 洪浩高 姚若河

作者单位: 华南理工大学电子与信息学院,广东广州510640

会议类型: 国内会议

会议名称: 广东省真空学会2010年年会暨广东省真空与低碳技术交流会

会议地点: 深圳

会议语种:中文

页码: 49-52

在线出版日期: 2010-12-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）