用原子层沉积法制备ZnO薄膜的研究

摘要：

Zn0是一种重要的直接带隙宽禁带半导体材料，具有六角纤锌矿结构。如何制备高质量的Zn0薄膜成为目前研究的热点。用原子层沉积法在Si(100)衬底上沉积ZnO薄膜.利用X射线衍射(XRD)和原子力显微镜(AFM)对样品成分和表面形貌进行分析,可知所得的ZnO纳米颗粒为六角纤锌矿结构,颗粒的平均尺寸为53nm.样品在500℃,N2气氛中退火后,薄膜结晶程度更好,颗粒的平均尺寸变大.

关键词： 半导体薄膜 氧化锌 原子层沉积法 工艺参数

作者: 韩静 蔡龙楷 柯梦南 姚若河

作者单位: 华南理工大学电子与信息学院,广东 广州510640

会议类型: 国内会议

会议名称: 广东省真空学会2010年年会暨广东省真空与低碳技术交流会

会议地点: 深圳

会议语种:中文

页码: 57-60

在线出版日期: 2010-12-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）