CuInSe2薄膜硒化工艺研究

摘要：

采用直流磁控溅射技术,在玻璃衬底上制备了CuIn预制层,在真空中以固态硒粉为硒源,采用三步升温硒化法对不同厚度的CuIn预制层进行硒化.通过SEM、EDS和XRD测试分析手段,研究了硒化后薄膜的形貌、成分和结构.结果表明:硒化前的CuIn预置层表面均匀致密.经三步硒化后的薄膜主要由分布均匀且粒径较小的CuInSe2基体和分散的CuSe化合物颗粒以及微量的InSe化合物组成,随着预制层薄膜厚度的增加,CuInSe2基体越来越致密,而镶嵌的大颗粒CuSe化合物越来越少.

关键词： 薄膜太阳能电池 铜铟硒薄膜 磁控溅射 硒化工艺

作者: 赵湘辉 招瑜 魏爱香

作者单位: 广东工业大学材料与能源学院,广东广州 510006

会议类型: 国内会议

会议名称: 广东省真空学会2010年年会暨广东省真空与低碳技术交流会

会议地点: 深圳

会议语种:中文

页码: 73-77

在线出版日期: 2010-12-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）