浅谈薄膜制备工艺的等离体化进程
真空镀膜已经走过了近一个世纪的历程,随着薄膜材料的应用普及,对其性能提出了的越来越高的要求,薄膜制备工艺随之速度发展,其中一个主要特征便是薄膜制备过程的离子化或称为等离体化的过程.以往真空镀膜制备工艺中改变薄膜性质的主要手段是适度改变被镀工件的温度，通过温度来调节薄膜表面原子的能量，以得到相应的结构，此时出现了著名的TM模型。随着要求的提高仅仅提温度已经远远不能满足工艺的要求，在光学镀膜领域，莱宝光学发明离子束辅助束辅助沉积技术，在离子化过程中的另一个案例是PECVD(等离子增强化学气相沉积)，当研究者认识到等离子体可以较容易地通过电场磁场进行控制的特点后，将等离子体引入了化学气相沉积工艺中形成了PECVD工艺，阴极弧放电和空心阴极离子镀，更是一个典型的例证，各种离子源的出现与薄膜沉积的离化过程是同步发展的，由于离子源的能量可调，能量范围宽等特点，在现代镀膜工艺过程中被广泛采用。在各种等离子化的过程中有很多参数需要调整，其中关键参数例如等离子体密度、能量、电中性的控制、分布均匀性，以及污染的避免等，均是等离子体使用过程中需深入研究考虑的。只有对上述问题有了深入的理解，等离子技术应用才能获得成功，取得应有的效果。
薄膜材料 真空镀膜 等离体化 参数调节
杨会生 袁镇海
北京科技大学材料学院,北京镨玛时代科技有限公司,北京100076 广州有色金属研究院,广州510651
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2010-12-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）