二氧化钒薄膜的离子掺杂降低相变温度的研究进展

摘要：

二氧化钒(VO2)是一种备受人们关注低温热致相变材料,在68℃发生从低温半导体相向高温金属相的可逆相变.本文介绍了掺杂法改变二氧化钒相变温度的研究进展.VO2掺杂改变相变温度的原理包括原子尺寸和应力理论，化合价理论，电荷转移理论和键长理论。

关键词： 半导体薄膜 二氧化钒 离子掺杂 相变效应 工艺参数

作者: 王权康 叶勤

作者单位: 暨南大学物理系,广州510632

会议类型: 国内会议

会议名称: 广东省真空学会2010年年会暨广东省真空与低碳技术交流会

会议地点: 深圳

会议语种:中文

页码: 109-112

在线出版日期: 2010-12-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）