会议专题

二氧化钒薄膜的离子掺杂降低相变温度的研究进展

二氧化钒(VO2)是一种备受人们关注低温热致相变材料,在68℃发生从低温半导体相向高温金属相的可逆相变.本文介绍了掺杂法改变二氧化钒相变温度的研究进展.VO2掺杂改变相变温度的原理包括原子尺寸和应力理论,化合价理论,电荷转移理论和键长理论。

半导体薄膜 二氧化钒 离子掺杂 相变效应 工艺参数

王权康 叶勤

暨南大学物理系,广州510632

国内会议

广东省真空学会2010年年会暨广东省真空与低碳技术交流会

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109-112

2010-12-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)