CVD金刚石膜制备技术及应用进展
本文讨论了MPCVD金刚石成膜特点,介绍了日本的Matsumoto和Sato等人在1982年明确地提出了金刚石亚稳态生长技术的新观点，并采用热丝CVD法，在0.001-0.01MPa的低压下，用CH4和H2的混合气体在非金刚石基片上沉积了高质量的金刚石膜，沉积速率达到了1纳米/h。分析了现阶段CVD金刚石膜商业化应用的制约因素,展望了金刚石(膜)的发展前景.金刚石膜的各种优异性质非常突出，纳米金刚石膜在MEMS/NEMS和生物医学领域及大尺寸单晶金刚石的制备应用最为引人瞩目。国外科学家在纳米金刚石膜在Si上的选择性区域沉积和生物相容性等方面做了大量的工作，极大地推动了纳米金刚石膜在MEMS/NEMS和生物医学领域的应用，可能使MEMSINEMS和生物医学的发展上升到一个新的高度。而在单晶金刚石领域的重要进展，则使基于金刚石的电子器件一步一步趋于现实。进一步解决了成本和制备速度等问题后，金刚石电子器件甚至可能广泛取代现在的Si电子器件，给电子产品带来革命性的发展。
金刚石膜 制备工艺 沉积速率
马国欣 向鹏 邱胜宝 邬纪泽
华南理工大学电子与信息学院,广州510641;广州中国科学院工业技术研究院,广州511458 华南理工大学电子与信息学院,广州510641 广州中国科学院工业技术研究院,广州511458 广州中国科学院工业技术研究院,广州511458;中国科学院成都光电技术研究所,成都610209
国内会议
广州
中文
99-106
2009-12-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）