卷绕式磁控溅射法沉积PI-Cu膜
采用卷绕式磁控溅射法,利用X射线衍射仪(XRD)、四探针测试仪等手段研究了不同沉积条件下在PI膜表面制备的Cu薄膜的晶面择优取向、表面电阻率及表面形貌.结果表明,沉积层的晶面择优取向受工作压强影响,工作压强越大,(111)面取向越明显.较大的工作电流(大于12A),薄膜的电阻率较小;较小的工作压强(小于0.4Pa),薄膜电阻率越小;施加N1、TiO2、Ti3N4过渡层,Cu膜的电阻率明显减少.
铜薄膜 制备工艺 沉积速率 电阻率
吉锐 唐振方
暨南大学物理系,广州 510632
国内会议
广州
中文
173-177
2009-12-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）