深亚微米SOI MOSFET单粒子效应模型

摘要：

本文通过数值模拟方法对深亚微米SOI MOSFET的单粒子效应进行了研究.通过TCAD模拟,分析了漏极瞬态电流脉冲SET和体区电子浓度分布随时间、空间的变化情况,并从时间维度上探讨了深亚微米SOI MOSFET在单粒子效应下的双极放大效应。模拟和分析表明,双极放大效应对SET脉冲形状有很大的影响.最后,在已有模型的基础上,结合双极放大系数β(t)的建模,改进了SOI MOSFET单粒子效应瞬态电流脉冲SET的模型。

关键词： 集成电路 绝缘体上硅 单粒子效应 双极放大效应 瞬态电流脉冲 数值模拟

作者: 林子壬 孙岩 李鹏 张民选

作者单位: 国防科技大学计算机学院 长沙410073

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十七届计算机工程与工艺年会暨第三届微处理器技术论坛

会议地点: 西宁

会议语种:中文

页码: 251-256

在线出版日期: 2013-07-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）