氮化硅陶瓷及其与金属的接合技术

摘要：

本文叙述了氮化硅陶瓷的发展趋势,特别强调了改进制造工艺,有可能提高其热导率而成为高热导率陶瓷家族中的一员.文中系统地介绍了氮化硅陶瓷与金属的接合工艺.试验结果表明:用活性法工艺.在国内首次成功地完成高气密性(Q≤10-11 Pa·m/s)和高强度(σ拉=144 Mpa)的Si3N4-Cu封接件.

关键词： 氮化硅陶瓷 金属 活性封接工艺 气密性 材料强度

作者: 刘征 王腾飞 张伟儒 高陇桥

作者单位: 北京真空电子技术研究所,北京100015 北京中材人工晶体研究院有限公司,北京100018

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十五届全国电子陶瓷、陶瓷——金属封接会议暨2015年真空电子与专用金属材料分会和电子陶瓷年会

会议地点: 郑州

会议语种:中文

页码: 1-5

在线出版日期: 2015-09-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）