脉冲功率开关RSD研究进展
本文介绍了近年来本课题组在半导体脉冲功率开关反向开关晶体管RSD(reversely switched dynistor)器件方面所做的基础研究工作以及工程应用推广的情况,具体包括Si基RSD器件的二位数值模型与导通机理研究、引入缓冲层的结构优化、采用两步式触发的应用优化、高压大电流和重复频率开通试验;以及SiC基RSD器件的模型建立和关键工艺初步探索.其中,自主研制的3时Si基RSD器件堆体单次脉冲工况下最高通过峰值电流173kA,转移电荷量32C;以0.2Hz重复频率工作,峰值电流107kA,寿命超过5万次。
脉冲功率开关 反向开关晶体管 数值模型 结构优化
梁琳 余岳辉
华中科技大学光学与电子信息学院
国内会议
扬州
中文
24-37
2015-06-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）