基于分子动力学仿真的纳米胶体射流抛光材料去除机理
文利用分子动力学仿真模拟了纳米SiO2颗粒与单晶硅(100)表面的碰撞过程,以此来分析纳米胶体射流抛光的材料去除机理.仿真结果显示:粒径为7nm的SiO2颗粒其速度在50m/s时,与单晶硅工件表面的碰撞作用不会引起工件表面的原子排布的变化;而若要使碰撞对单晶硅工件表面原子排布产生影响,纳米SiO2颗粒的速度需大于250m/s.对纳米胶体射流抛光加工前后单晶硅工件表面的激光拉曼光谱检测验证了模拟结果.由此推出,纳米胶体射流抛光(粒径10nm,工作压力1MPa)中,纳米颗粒的机械碰撞不能对工件材料产生去除作用.
抛光工艺 纳米胶体射流 材料去除率 分子动力学
王星 张勇 徐琴 崔仲鸣 张飞虎
河南工业大学机电工程学院,郑州450001 哈尔滨工业大学机电工程学院,哈尔滨150001
国内会议
2016年中国(国际)光整加工技术及表面工程学术会议暨2016年中国光整加工技术产学研协调发展论坛
辽宁鞍山
中文
22-24
2016-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）