氧空位对Ta/Sb掺杂Bi3TiNbO9陶瓷电学性能的影响
通过传统烧结方法获得Ta/Sb掺杂Aurivillius相Bi3TiNbO9陶瓷.XRD图谱显示为单晶结构,表明Ta/Sb掺杂剂进入晶格形成固溶体.本文详细研究了其介电性能、直流电导和压电性能等电性能.在BTN基陶瓷中,氧空位的迁移对介电弛豫、直流电导性能起着主要作用.在高温条件下,用Ta5+/Sb5+取代Ti4+有效抑制氧空位的产生.随着Ta/Sb掺杂浓度的增加,直流传导性能、压电性能系数d33值变大,介电损耗降低.最佳的d33值是BTNTS-1陶瓷的两倍,为7.8pC/N.研究了相关的物理机制。
压电陶瓷 烧结工艺 介电性能 直流电导 压电性能
曾祥雄 曹峰 彭志航 向阳 汪庆
新型陶瓷纤维及其复合材料重点实验室,航天科学与工程学院,国防科学技术大学,湖南长沙410073
国内会议
长沙
中文
37-42
2016-11-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）