高精度集成电路引线框架蚀刻设备探讨
蚀刻设备条件是影响蚀刻图形品质的重要因素,设备的优化在于解决”水池效应”.以此原理,并针对集成电路引线框架的特殊要求,优化蚀刻喷架，改进喷嘴排列方案，改进喷架到板面的距离，更换喷嘴，计算喷嘴最佳喷淋角度后重新选型以减小侧蚀量，加大摆动幅度与摆动频率使新旧蚀刻液在板面上交换更迅速，调整蚀刻泵出水压力使水压更趋平稳无跳动。经过反复试验,达到了客户高精度要求.
集成电路 引线框架 蚀刻机 结构优化 水池效应
高平 邵文庆 袁永卫 李昌文
常州力达电子设备有限公司 常州213022
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2016-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）