一种直接提取HEMT器件小信号等效电路低温参数的方法

摘要：

高电子迁移率晶体管(HEMT)的小信号等效电路模型是研制低噪声放大器与研究其微波特性的基础.本文对HEMT器件在低温环境下(10K、77K)直流参数与S参数的测量,提出了一种能够直接提取在低温环境下HEMT器件小信号等效电路中各元件参数的方法.在覆盖10GHz以下频段分别提取栅长为0.15.μm与0.3μm两款器件的低温参数模型,实验表明理论计算结果与实测的S参数具有很好的吻合度。

关键词： 高电子迁移率晶体管 小信号等效电路 直流参数 S参数 低温环境

作者: 何川 王自力 吴志华

作者单位: 中国电子科技集团公司第16研究所,合肥230043;中国电子科技集团公司低温电子研发中心,合肥230043

会议类型: 国内会议

会议名称: 2013年全国微波毫米波会议

会议地点: 重庆

会议语种:中文

页码: 1718-1721

在线出版日期: 2013-05-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）