硅通孔MOS电容效应的电气建模分析

摘要：

微电子系统的三维集成极大地缩短了互连长度、时延和减小系统尺寸,同时还可通过异质集成实现多功能性.硅通孔是实现三维集成系统高性能的关键模块.本文详细阐述了硅通孔MOS电容效应的电气模型,并对硅通孔的几项几何和材料参数进行了参数扫描分析,研究了各项参数对TSV电容-电压曲线的影响.对TSV各项参数的对比研究表明TSV电容可以通过改变几何和材料参数来得到调节，分析结果将有利于三维集成系统中TSV互连的设计。

关键词： 三维集成电路 硅通孔 半导体金属氧化物 电容效应 电气模型 电容-电压曲线

作者: 贺翔 王文松 曹群生

作者单位: 南京航空航天大学电子信息工程学院,南京210016 南京航空航天大学电子信息工程学院,南京210016;毫米波国家重点实验室,南京210096

会议类型: 国内会议

会议名称: 2013年全国微波毫米波会议

会议地点: 重庆

会议语种:中文

页码: 1754-1757

在线出版日期: 2013-05-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）