会议专题

宽带低相位噪声LC VCO设计

本文设计了一种工作在S波段的宽带低相位噪声压控振荡器,并采用TSMC0.18-μm混合CMOS工艺生产实现.采用电压模形式,增加了输出的摆幅,有更低的相位噪声和更好的带负载能力.为了拓宽振荡器的调谐范围,振荡核采用数字调谐技术,调谐范围为1.80G-2.28G(24%).VCO供电电压为2V,在中心频率2.01G相位噪声为-116dBc/Hz@1MHz.

压控振荡器 互补交叉耦合结构 数字调谐 相位噪声 宽带性能

史君宇 朱思衡 吕昕

北京理工大学MCES实验室

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2013-05-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)