TRISO颗粒SiC包覆层的晶粒尺寸调控工艺研究
SiC具良好的机械性能、热力学性能和化学性质稳定性,而且表现出良好的高温耐辐照性能,因而在TRISO颗粒中成为承受气体内压和阻挡裂变产物释放的关键材料.研究表明,SiC的微观结构对其力学和热学性能具有重要影响.为了制备性能更优异的SiC包覆层,本文研究了SiC包覆层的晶粒尺寸调控工艺. 本研究通过化学气相沉积法，利用三氯甲基硅烷(MTS)为前驱体，通过调整CVD工艺中的沉积条件（MTS浓度，沉积温度，反应气体成分等），制备不同晶粒尺寸的SiC样品。通过对工艺参数的调整，得到了数百纳米至数十微米的SiC涂层。利用纳米压痕、激光热导仪和SEM分析了晶粒尺寸对杨氏模量、热扩散系数的影响。
三结构同向性型颗粒 碳化硅包覆层 晶粒尺寸 调控工艺
杨旭 许六军 郭曼珊 张锋 李子威 仲亚娟 林俊 朱智勇
中国科学院上海应用物理研究所,上海,201800;中国科学院大学,北京,100049 中国科学院上海应用物理研究所,上海,201800
国内会议
南京
中文
32-32
2017-05-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）