高纯175Hf的制备
截至目前,公开发表的175Hf可参考半衰期实验值仅有三个,且各数据间存在一定分歧,分歧主要来源于175Hf测量源中往往伴随着181Hf或其它干扰核素,影响半衰期测量结果.为测量175Hf半衰期,本工作制备了无181Hf和其它干扰核素的高纯175Hf源.本工作采用离子溅射将纯金属Lu颗粒均匀镀在回旋加速器的专用Cu质衬底表面，并在回旋加速器上采用15.6MeV质子束流中轰击1小时，生成175Hf。冷却一段时间后，使用刀片轻刮Lu靶的离子溅射面，将镀层收集在烧杯中，加入过量浓硝酸置于电炉上加热溶解镀层，蒸干后，转换为8mol/L HCl介质。将溶解液通过φ6mm×55mm的HDEHP树脂柱，使用8mol/L盐酸淋洗杂质核素，1mol/L HCl-0.2mol/L HF混合酸解吸Hf,将收集的解吸液蒸发浓集，并转移至20ml液闪管中密封定量，获得纯度较高的175Hf测量源。分离流程对175Hf的化学收率>94％，对65Zn与56Co的去污因子分别达到5200与2300。分离后得到的无载体175Hf的纯度较高，没有181Hf和其他杂质核素的干扰，可用于175Hf半衰期测量。
半衰期测量 测量源 高纯175铪 制备工艺
王秀凤 丁有钱 张雄寓
中国原子能科学研究院放射化学研究所,北京102413
国内会议
南京
中文
77-78
2017-05-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）