光子辐射对纳米二氧化硅薄膜结构的影响
纳米二氧化硅薄膜具有独特的热学和光学性能,在微电子、光电子和光集成器件中具有广泛的应用.纳米二氧化硅薄膜在应用中受到光子辐射,因此光子辐射对纳米二氧化硅薄膜的影响备受关注.本文采用溶胶一凝胶技术制备了纳米二氧化硅薄膜,用能量为3.53 eV的光子辐射薄膜,研究了光子辐射对薄膜化学计量比,硅氧键以及微观和宏观结构的影响.研究结果表明,光子辐射对薄膜结构的影响与光子束的能量密度和薄膜中的杂质含量密切相关.当光子束的能量密度达到21.3 J/cm2时,薄膜中的硅氧键的键长和键角发生变化,氧硅的化学计量比降低;当光子束的能量密度达到32.8 J/cm2时,硅氧键发生断裂,薄膜的微观结构发生破坏,出现损伤坑.薄膜中的杂质能够强化光子辐射对薄膜结构的影响.
纳米二氧化硅 薄膜结构 光子辐射
晏良宏 严鸿维 刘太详 杨科 王韬 李合阳 李好
中国工程物理研究院激光聚变研究中心
国内会议
南京
中文
167-167
2017-05-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）