氮化硅结合碳化硅材料的氮压控制烧成
(0) 通过试验研究出利用对窑炉内的N2压力控制进行氮化硅结合碳化硅复合材料的氮化烧成方法,避免了Si3N4复合材料制品烧成过程中的微观结构缺陷,提高了产品的性能质量.氮化硅结合碳化硅复合材料在氮化烧成时，制品由表及里存在N2和反应生成物的浓度梯度，它们的方向相同。氮化硅结合碳化硅复合材料在氮化烧成中，炉内N2的消耗量与温度形成一种表面平衡状态，但实质上是硅被不断氮化的连续过程。通过对窑炉内氮分压的控制来实施对窑炉升温的控制，也就对氮化反应速度实施了控制，从而避免了烧成中的微观结构缺陷，能够制得由外到里氮化率梯度趋近于零的产品。
陶瓷复合材料 氮化硅 碳化硅 氮化烧成 氮压控制
梁振海 任世理 侯撑选 闫开放 孙文瑞
咸阳陶瓷研究设计院 陕西咸阳 712000
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2016-04-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）