ISING模型下溶质原子对α-Ti合金层错能的影响

摘要：

本文采用第一性原理EMTO-CPA方法结合ISING模型研究了合金化对α-Ti合金基面四种层错能(I1,I2,E,T2)的影响.合金原子包括Mg、Al、Si、Sc、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Zn、Y、Zr、Ge、Sn、Nb、Pd、Rh、Ru、Ag、Cd、Mo、Zr等.计算结果表明:我们所研究的溶质原子均不同程度地降低α-Ti合金的基面层错能;Sn对α-Ti合金基面层错能的影响最为显著.进一步分析显示,α-Ti合金的c/a、弹性模量、溶质原子半径、溶质原子价电子分布都是影响钦合金基面层错能的因素.

关键词： 钛合金 层错能 溶质原子 第一性原理

作者: 于慧 祁阳 胡青苗 杨锐

作者单位: 东北大学,辽宁沈阳100819;中国科学院金属研究所,辽宁沈阳100016;沈阳工业大学,辽宁沈阳100870 东北大学,辽宁沈阳100819 中国科学院金属研究所,辽宁沈阳100016

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十六届全国钛及钛合金学术交流会

会议地点: 西安

会议语种:中文

页码: 1020-1025

在线出版日期: 2016-04-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）