过渡金属二硫属化合物单层的杂化泛函计算研究

摘要：

应用基于杂化密度泛函的第一性原理计算,系统研究了具有d1构型的第五族过渡金属二硫属化合物MX2(M=V, Nb,Ta;X=S,Se,Te)单层的电子结构.计算表明在这类材料单层中出现了磁性金属、磁性半导体和半半导体等一系列的强关联电子结构相.通过详尽的理论分析发现,这些电子结构的的多样化可以通过过渡金属原子d电子的局域性来解释.

关键词： 过渡金属二硫属化合物 电子结构 密度泛函 第一性原理

作者: 黄鹏儒 孙立贤

作者单位: 桂林电子科技大学材料科学与工程学院,桂林541004

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十七届全国相图学术会议暨相图与材料设计国际研讨会

会议地点: 桂林

会议语种:中文

页码: 416-416

在线出版日期: 2015-11-03（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）