辐照损伤单晶硅太阳电池的光热成像检测研究
太阳能电池在空间环境作用下会形成辐照损伤,该损伤影响太阳能电池电参数(开路电压Voc、饱和电流J0、填充因子FF、转化效率ηe等)及面分布,造成电池性能退化.本文利用光热成像检测技术对100keV能量的质子与电子共同辐照前后的单晶硅太阳能电池电参数及其面分布进行了非接触红外锁相热成像检测研究.基于太阳能电池能量损耗原理,建立了太阳能电池少数载流子非辐射复合热损耗模型;利用蒙特卡洛仿真分析了质子辐照太阳能电池的三维缺陷分布;采用红外锁相热成像检测试验系统对不同电压下的共同辐照单晶硅太阳电池进行了光热成像试验研究并与未辐照电池对比,并通过已建模型拟合得到了未辐照电池与共同辐照电池的电参数及其面分布,电参数平均值与电测法吻合;通过统计分析辐照前后电池电参数分布,定量研究了辐照对单晶硅太阳能电池电参数不均匀性影响.
单晶硅太阳能电池 辐照损伤 光热成像检测 电参数 分布规律
宋鹏 刘俊岩 王扬
哈尔滨工业大学机电工程学院,哈尔滨,150001 哈尔滨工业大学机电工程学院,哈尔滨,150001;哈尔滨工业大学机器人技术与系统国家重点实验室,哈尔滨,150001
国内会议
南京
中文
132-137
2016-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）