会议专题

GaN HEMT在宽带战术电台功率放大器中的应用分析

由于GaN HEMT所具有的宽带、高效和高功率等特性,近年来在外军宽带战术电台中得到了广泛的应用,但在国内这方面的具体应用成果尚不多见,主要还是使用Si MOSFET.本文对比分析了这两类器件性能的优缺点,阐述了GaN HEMT在宽带战术电台功率放大器中的应用前景,还初步探讨了宽带战术电台用功率放大器对GaN HEMT器件的技术要求.

宽带战术电台 功率放大器 氮化镓 高电子迁移率晶体管

谭笑 陈江

南京电讯技术研究所,南京210007

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1165-1169

2013-05-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)