Si/SiGe微波异质结晶体管的等效电路模型

摘要：

用实验测量方法提取了Si/SiGe多发射极微波异质结晶体管(HBT)的直流GP模型SPICE参数,模拟了器件的输出特性曲线,分析了器件在小注入与大注入直流工作时的特性差异;用H参数法建立了器件的交流等效电路模型,模拟了器件的散射参数S21和电流增益截止频率fT,模拟结果与实际测量的结果相吻合,在此基础上比较了HBT与BJT器件等效电路模型的差异.

关键词： 锗硅异质结晶体管 等效电路模型 交直流参数 输出特性曲线

作者: 曹雄斐 杨维明 李紫怡 谢绰 张瑞 卜力 邹德恕 陈建新

作者单位: 湖北大学物理学与电子技术学院,430062,武汉 北京工业大学光电子技术实验室,100022,北京

会议类型: 国内会议

会议名称: 2013年全国微波毫米波会议

会议地点: 重庆

会议语种:中文

页码: 1219-1222

在线出版日期: 2013-05-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）