基于65nm CMOS工艺的60GHz宽带下变频混频器
基于一种65rim CMOS工艺,本文实现了一款60GHz宽带下变频混频器.该混频器采用Gilbert单元结构,为提高混频器的增益、带宽和噪声性能,在跨导管与开关管之间引入级间电感.测试结果表明,在48GHz0dBm本振信号的作用下,该混频器的转换增益约为14dB,3dB带宽大于4GHz,输入1dB压缩点为-10dBm.此外,仿真结果表明,噪声系数为12dB,输入三阶交调截点为2.5dBm.在1.2V电源电压下,混频器核心Gilbert单元电路功耗为13.2mW,输出缓冲器功耗为25.2mW.芯片面积为0.9×0.76mm2.
混频器 结构设计 毫米波电路 级间电感
史珺 李连鸣 崔铁军
东南大学信息科学与工程学院,南京210096
国内会议
重庆
中文
1271-1274
2013-05-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）