等离子体中的电磁场分布仿真计算
低温等离子体技术作为特殊的处理手段广泛应用于半导体工艺中,但在加工直径大于300mm的晶圆片时,半导体器件加工的均匀性,一致性就会变差,成品率极低,其关键在于反应腔内的等离子体在外加高频电磁场的作用下没有形成均匀稳定的分布.针对这一问题,拟采用时域模拟仿真方法对腔体内的现象进行分析.发现等离子体的均匀性很大程度依赖于馈电的位置和数量.在研究等离子体与电场交互的机制的情况下,找出影响等离子体均匀分布的因素.结果表明:增加激励源的个数可以提高电磁场分布的均匀性，8个激励源要远远高于2个的情况;当激励源的个数相同时，中心对称要比轴对称分布会提高电磁场均匀性。
半导体器件 加工工艺 等离子体 电磁场 分布均匀性 馈电参数 激励源
刘野 任武 薛正辉 李伟明
北京理工大学电子与信息学院,北京100081
国内会议
重庆
中文
661-664
2013-05-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）