正面局部接地电路板内带电特征三维仿真分析
空间高能电子射穿卫星蒙皮并沉积到电路板中,可能引发静电放电,这对电路系统正常工作构成了长期的潜在威胁.前期研究多是围绕电路板的一维充电模型,考虑的是电路板单面或双面整体接地,这与实际情况是有差别的.本文对正面局部接地电路板做出内带电三维仿真,考察了此时的充电特征,并定量分析了金属走线边角曲率半径对电场强度峰值的作用规律.考虑地球同步轨道恶劣电子辐射环境,对2mm屏蔽铝板下的厚度3mm的电路板进行仿真,发现:在局部接地情况下,接地边界会出现电场强度畸变放大,导致场强峰值比均匀整体接地时高出两个数量级,达到10^7V/m量级.峰值场强随着金属走线边角曲率半径增大而有效降低,该结果为进一步有效规避电路板内带电的击穿放电提供了可靠依据.
航天器 电路板 局部接地 带电特征 三维仿真
王松 武占成 唐小金 孙永卫 易忠
军械工程学院 静电与电磁防护研究所,河北 石家庄 050003;北京卫星环境工程研究所,北京 100094 军械工程学院 静电与电磁防护研究所,河北 石家庄 050003 北京卫星环境工程研究所,北京 100094
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202-207
2015-08-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）