基于Geant4的HPGe探测效率优化模拟
为获得P型同轴HPGe探测器的源探测效率,发展了一种利用蒙特卡罗方法替代标准源实验刻度源探测效率的方法.利用未知活度的152Eu点源的归一化效率对探测器晶体表面死层厚度进行了优化,使入射γ射线能量从120keV到1400keV之间的全能峰效率模拟结果的相对不确定度都小于2％.为检验方法的正确性,测量并计算了137Cs、60Co和241Am三种已知活度标准点源的源探测效率及其活度,结果表明计算活度的相对不确定度小于1％,说明优化方法具有较强的可靠性和实用性.
高纯锗探测器 探测效率 死层厚度 参数优化
兰明聪 吴伦强 张连平 党晓军 韦孟伏 陈颖 肖洒
中国工程物理研究院材料研究所,四川 绵阳 621700
国内会议
山东曲阜
中文
1-9
2015-06-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）