基于InP HBT的超宽带分布放大器设计

摘要：

基于1um InP HBT工艺,设计了一款超宽带分布式功率放大器.电路采用分布式拓扑结构,设计为四级,采用电阻-电容结构代替传统分布式放大器中的终端电阻以降低直流功耗.电路设计用HBT器件大信号模型采用Agilent HBT模型,无源器件/结构采用经传输线设计校准后的EM仿真环境设计.电路后仿结果表明放大器工作带宽为30GHz～67GHz频段,增益为(8.5±0.9)dB,1dB压缩点最大输出功率16dBm.

关键词： 功率放大器 分布式拓扑结构 电路设计 工作带宽 输出功率

作者: 冯昊 刘军

作者单位: 杭州电子科技大学射频电路与系统教育部重点实验室 杭州 310037

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国电子学会电路与系统分会第二十六届年会

会议地点: 长沙

会议语种:中文

页码: 50-53

在线出版日期: 2015-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）