用于超低温模拟的MOSFET阈值电压模型

摘要：

提出了一个改进的MOSFET超低温阈值电压模型.MOS器件在超低温环境在会出现阈值电压偏移等特性,标准的BSIM模型不能准确表征MOSFET在超低温环境下的特性.该文在BSIM模型基础上,对MOSFET阈值电压随温度变化方程进行修正,采用Verilog-A语言进行描述,实现了模型在商用EDA工具中可用.模型采用超低温(77K)下90nm工艺MOSFET器件实测数据进行验证,测量和模型仿真所得阈值电压有很好吻合.

关键词： 金属氧化物半导体器件 阈值电压 低温环境

作者: 郭志浩 刘军

作者单位: 杭州电子科技大学射频电路与系统教育部重点实验室 杭州 310037

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国电子学会电路与系统分会第二十六届年会

会议地点: 长沙

会议语种:中文

页码: 54-57

在线出版日期: 2015-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）