基于改进型电流镜偏置和电流复用技术的SiGe_BiCMOS_UWB低噪声放大器
该文提出了一款新型超宽带(UWB)SiGe BiCMOS低噪声放大器(LNA).采用改进型的电流复用结构和电流镜偏置结构提高了LNA的增益和线性度.改进型共射-Cascode电流复用结构不但保留了传统电流复用结构高增益的优点,而且提高了LNA的稳定性;改进型的电流镜偏置电路减缓了共射极晶体管在输入功率增加时基极-发射极电压VBE的减少趋势,提高了线性度.基于TSMC0.35μm SiGe BiCMOS工艺完成了UWB LNA的芯片版图的设计,LNA面积为0.53×0.63mm2.在3.1～10.6GHz工作频带范围内,与传统电流复用结构和未采用线性改善技术的LNA相比,LNA的稳定因子提高了2倍,IIP3提高了6dBm,同时具有良好的噪声和增益性能.
低噪声放大器 电流复用 电流镜偏置 增益性能 线性度
陈亮 丁春宝
泰山学院物理与电子工程学院 泰安 271000 中国航天电子技术研究院卫星导航系统工程中心 北京 100094
国内会议
长沙
中文
62-66
2015-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）