低温等通道转角挤压金属Cu的内耗研究
本研究使用等通道转角挤压法(ECAP:Equal Channel Angular Pressing)在室温与液氮温度下来细化多晶Cu的晶粒尺寸.经过在RT或LNT下、90°转角模具中进行二道次ECAP挤压处理以后,TEM观察显示Cu的晶粒尺寸最小细化至约200nm.室温～750℃范围内的内耗温度谱研究表明:在室温或液氮温度下ECAP变形后样品的升温曲线中都出现三个非弛豫型内耗峰,此三个内耗峰都在降温曲线中消失,分析认为此三个内耗峰分别对应于大塑性变形后样品的三次再结晶过程.并且,与室温下ECAP挤压后的样品相比,液氮温度下ECAP挤压后三个内耗峰的峰温都往低温偏移,表明液氮温度下的ECAP变形在材料内部造成的应变储存能更高,微结构愈不稳定.此外,无论在室温或液氮温度下ECAP挤压后样品的内耗降温曲线上都在342℃出现了晶界弛豫峰.
金属铜 内耗温度谱 等通道转角挤压法 晶体结构
郝汀 唐海银 蒋卫斌 方前锋
中国科学院固体物理研究所,合肥,230031
国内会议
陕西延安
中文
16-19
2015-08-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）