3D封装:铜柱封装技术中(湿制程)不可预见的新挑战

摘要：

在超微距铜柱集成电路封装技术上，传统的蚀刻及阻光层剥离制程中，正在面临着不断增长的严峻要求。为了维持集成电路的供能性和可靠性，集成电路封装制程需要历更可行性的解决办法，以增强清洁性能、材料的兼容性及对不同金属腐蚀的选择性。在光刻法之后，于ECD铜沉积形成之前，需要采取独特的处理方法以减少表面的残留物。随着集成电路的复杂性不停增加，可预见合适的湿流程清洁方法将会有更好的优势，因为它可以提供更佳的清洁性能力以及拥有更低的成本.除此之外，沉积层表面清洁度的管控，将会成为封装用铜柱晶体的均匀性的一个关键的参数。良好的籽铜层蚀刻剂需要有多种特性，包括控制降低铜柱侧壁的腐蚀，防止敏感性金属间化合物的腐蚀，避免焊帽(锡，锡/银)的电化学腐蚀，同时可以选择性去除籽铜层(100-1000nm)，不产生大量的缺口出现。在籽铜层去除经过严格检查后，以钛为基础的阻隔材料(钛，氮化钛和钨化钛)在铜柱结构上形成，随后再去除。最近对于无氟电镀液的调查证实，带有较高的堆积物兼容性(铝，铜，锡，锡银，镍等)的可选择性去除钛和氮化钛及实现更佳的工艺管控。

关键词： 超微距铜柱集成电路 电子封装 腐蚀行为 光刻法 铜沉积 湿流程清洁法

作者: M.Cazes C Pizzetti J.Daviot T.Souza A.Gallegos M Fourel

作者单位: European R&D dept,Technic,15 rue de la Montjoie,F93212 LA plaine St Denis,France US R&D Dept.Technic INC,one Spectacle Street,Cranston,RI02910,USA Wafer bumping technology group,ST Microelectronics,850 rue Jean Monnet,F38926 Crolles,France

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国电子学会电子制造与封装技术分会电镀专家委员会第十七届学术年会

会议地点: 西安

会议语种:中文

页码: 1-10

在线出版日期: 2015-08-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）