一款高稳定性带隙基准源的设计与分析

摘要：

本文设计了一种基于传统结构的带隙基准源电路.该电路采用自偏置电路与两级运放电路形式,输出端采用MOS管控制开关的电阻分压形式输出需要的基准电压值.对于产生一个700mV左右的电压基准,温度扫描从-55℃～125℃得到的温度漂移指标为37.58ppm/℃,电源抑制比在1kHz时达到了-87dB,稳定性很好.该电路在65nm工艺下进行设计实现,版图占用的面积约为0.024mm2.

关键词： 带隙基准源 偏置电路 两级运放电路 设计理念 温度漂移 电源抑制比

作者: 孙海艳 刘尧 孙永节

作者单位: 湖南省长沙市国防科学技术大学计算机学院 410073

会议类型: 国内会议

会议名称: 第二十届计算机工程与工艺年会暨第六届微处理器技术论坛

会议地点: 西安

会议语种:中文

页码: 212-217

在线出版日期: 2016-08-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）