含硼氮配位键的n-型共轭高分子

摘要：

共轭高分子在有机电子学领域具有广泛的应用,是非常重要的光电功能材料.相对比传输空穴的p-型共轭高分子,传输电子的n-型共轭高分子的设计更困难、数量更少.阐明了硼氮配位键(B←N)降低共轭高分子LUMO/HOMO能级的基本原理,提出了采用B←N键设计n-型共轭高分子的策略,发展出”含B←N键的n-型共轭高分子”,开发出具有能级结构可调、高电子迁移率的高分子电子受体材料和高分子电子传输材料,构建了效率超过6％的全高分子太阳能电池,为发展n-型高分子半导体材料提供了新思想和新体系.

关键词： 太阳能电池 半导体材料 n-型共轭高分子 硼氮配位键

作者: 窦传冬 刘俊 王利祥

作者单位: 中国科学院长春应用化学研究所,吉林长春 130022

会议类型: 国内会议

会议名称: 2017第十九届中国科协年会

会议地点: 长春

会议语种:中文

页码: 1-3

在线出版日期: 2017-06-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）