940nm高功率列阵半导体激光器

摘要：

利用分子束外延生长方法生长出InGaAs/GaAs应变量子阱材料。利用该材料制作出的应变量子阱列阵半导体激光器准连续(500μs，100Hz)输出功率达到27W（室温），峰值波长为939～941nm，并分析了影响列阵半导体激光器输出功率的因素。

关键词： 分子束外延 半导体激光器 输出功率

作者: 曲轶 薄报学 高欣

作者单位: 吉林大学电子工程系,长春光学精密机械学院高功率半导体激光国家重点实 长春光学精密机械学院高功率半导体激光国家重点实验室

会议类型: 国内会议

会议名称: 全国化合物半导体.微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 海口

会议语种:中文

页码: 277～278

在线出版日期: 2000-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）