用ＭＢＥ生长基区的平面结构ＳｉＧｅＨＢＴ

摘要：

通过分子束外延生长ＳｉＧｅ层制成了适于集成的平面结构ＳｉＧｅ异质结双极晶体管（ＨＢＴ）。在３００°Ｋ下，ＨＢＴ的直流电流增益β为３０－５０，基极开路下的收集极－发射极反向击穿电压ＢＶ〈，ｃｅｏ〉为５Ｖ，特征频率Ｆ〈，Ｔ〉为１３．５ＧＨｚ。

关键词： 分子束外延 ＳｉＧｅ 异质结双极晶体管

作者: 贾霖 倪学文 罗葵 关旭东 韩汝琦

作者单位: 大学微电子学研究所(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十届全国电子束、离子束、光子束学术年会

会议地点: 长沙

会议语种:中文

页码: 419～421

在线出版日期: 1999-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）