MM-HEMT材料的分子束外延生长研究

摘要：

研究人员用分子束外延方法在GaAs（001）衬底上生长了以In<,0.53>Ga<,O.47>As为沟道的HEMT材料。对应于P-HEMT（Pseudomorphic HEMT），这种HEMT被称为Metamorphic HEMU简称MM-HEMT。为了克服衬底和器件结构层之间高达3．8℅的晶格失配，在衬底上生长了厚度约为1微米的In<,x>Ga<,1-x>As变组分缓冲层，x从0变到O.53。实验发现衬底温度对缓冲层的质量有着至关重要的影响。

关键词： 分子束外延 HEMT 变组分缓冲层

作者: 吴文 曾一平

作者单位: 院半导体研究所材料科学中心(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第六届全国固体薄膜学术会议

会议地点: 成都

会议语种:中文

页码: 61～63

在线出版日期: 1998-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）