磁控溅射制备氧化铪薄膜的高温绝缘性
采用射频磁控溅射法在不同氧氩比的条件下制备了氧化铪绝缘薄膜,分别采用X射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)对氧化铪薄膜的结构和表面形貌进行了表征;分析了不同氧氩比对薄膜结构和表面形貌的影响;针对氧化铪在高温下的应用重点研究了该薄膜在高温下的电阻率.结果表明:氧氩比对涂层的表面形貌和电绝缘特性有显著影响,氧氩比为1:8下制备的薄膜粗糙度和粒径均小于氧氩比为1:4和1:3下制备的薄膜;氧氩比为1:8下制备的薄膜体电阻率最高,在900℃达到2.4x1012Ω.cm,适合在催化燃烧传感器中做绝缘层.
氧化铪绝缘薄膜 射频磁控溅射法 结构表征 表面形貌 高温绝缘性能
刘西锋 董汉鹏 夏善红
中国科学院电子学研究所传感技术国家重点实验室,北京100080;中国科学院研究生院,北京100080 中国科学院电子学研究所传感技术国家重点实验室,北京100080
国内会议
昆山
中文
153-155
2012-11-03(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)