金属氧化物半导体气敏材料的高性能表(界)面构筑方法研究
纳米尺度的金属氧化物半导体由于其高的比表面积,作为高性能的气敏材料具有极大的优越性.本文综述了通过材料形貌及尺寸的调控以及活性中心的引入等方法来提高金属氧化物半导体纳米材料气敏性能.分等级和中空纳米结构的氧化物半导体由于具有特殊的多孔结构,高的比表面积,可以使气体与敏感材料快速发生作用,从而提高元件的气敏特性.对其进行活性中心的引入,进一步改善材料的选择特性.通过ZnO材料的实验比对,证实了贵金属修饰的分等级和中空结构的纳米材料可以实现高敏感和选择性好的特性.
气体传感器 金属氧化物半导体 纳米结构 气敏性能
王丽丽 张彤
吉林大学,集成光电子学国家重点实验室吉林大学实验区,电子科学与工程学院,吉林长春130012
国内会议
昆山
中文
210-215
2012-11-03（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）