绝缘体上锗硅材料制备过程研究

摘要：

利用高温常压氧化技术对外延生长SiGe层的SiGe/SOI结构进行高温氧化,研究了氧化过程中SiGe层中Ge、Si元素浓度变化情况.结果表明Ge浓度分布随氧化过程而变化,靠近表面层界面处浓度较高,向内部逐渐减少,说明高温氧化过程中,氧化硅稳定性优于氧化锗,致使表面形成较高Ge浓度的SiGe层,并促使Ge元素向内部扩散.在氧化后,SiGe层中Ge元素分布仍然呈梯度分布,表面粗糙度增大,利用表面抛光技术可以减少粗糙度.

关键词： 金属氧化物半导体 绝缘体上锗硅 制备工艺 高温氧化 表面粗糙度

作者: 程新利 王冰 沈娇艳 唐运海 秦长发 潘涛 王文襄

作者单位: 苏州科技学院数理学院,江苏苏州215009 昆山双桥传感器测控技术有限公司,江苏昆山215325

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国敏感元件与传感器学术会议

会议地点: 昆山

会议语种:中文

页码: 216-219

在线出版日期: 2012-11-03（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）