面向化学敏感的介孔、低维和分等级结构半导体氧化物的设计与制备
本文报告面向气体和湿度敏感的介孔、低维和分等级结构半导体氧化物的设计与制备.围绕提高半导体氧化物的识别功能、转换功能和敏感体利用率确立材料设计指针;利用水热、溶剂热、模板法、微波辅助合成、静电纺丝以及超声喷雾等合成方法制备了典型的半导体氧化物SnO2、ZnO、WO3、In2O3、Fe2O3和LaFeO3等,并优化了合成条件;利用XRD、小角XRD、SEM、TEM、BET等对所制备的材料进行了结构表征;对上述敏感材料的气体、湿度敏感特性进行了评价,并初步探讨了感知机理.通过对纳米敏感材料微结构的优化,使其对特定气体以及湿度的敏感特性有明显改善.例如,利用水热合成制备方形WO3纳米片对NO2的检测下限可达到40ppb,和不规则的纳米片相比,灵敏度有明显提高;ZnWO4纳米棒在11％～98％RH湿度范围内显示良好的湿度敏感材料.总之,半导体氧化物敏感材料的纳米化、介孔化、低维化以及分等级结构显著改善了气体、湿度敏感特性,具有潜在的应用前景.
半导体氧化物 制备工艺 结构表征 敏感特性
卢革宇 张彤 孙彦峰 刘凤敏 梁喜双 孙鹏 马健 杜宇
吉林大学电子科学与工程学院,集成光电子国家重点实验室吉林大学实验区吉林长春,130012
国内会议
昆山
中文
228-231
2012-11-03（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）