一种二维光点位置检测传感器结构的研究
(0) MEMS光点位置检测传感器是一种基于非均匀半导体横向光电效应,对入射光或者粒子位置敏感的器件,在现代工业生产,军事和科研中有着重要作用.本文基于雪崩击穿原理设计出一种二维光点位置检测传感器结构.该结构的表面有一定面积的PN结,工作时PN结反偏,并且通过设计使该PN结只在底面击穿.正常工作时的电压略小于击穿电压.在无光照射器件表面时,无电流流过,有光照射时,器件表面将产生光生载流子,使照射处的雪崩击穿电压下降,产生局部击穿.产生的电流在表面根据电流位置重新分配,从而通过电流的比例分配计算出光点在表面的二维位置.在此器件结构中,为了要达到最大的击穿电压,则电场分布尽量平坦且区域尽量宽.在此提出一种提高PN结击穿电压的方案.
光点位置检测传感器 半导体PN结 结构设计 雪崩击穿
张睿 秦明
东南大学电子科学与工程学院MEMS教育部重点实验室 南京210096
国内会议
昆山
中文
401-405
2012-11-03（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）