会议专题

磁控溅射制备电阻应变传感器的SiO2绝缘膜

应用MEMS技术制备薄膜电阻应变传感器时,需要在薄膜电阻与金属弹性体衬底表面之间溅射一层SiO2绝缘薄膜,该薄膜需具备一定的绝缘性和较强的粘接力,这是薄膜电阻应变传感器制备的关键技术之一.文中介绍采用磁控溅射制备薄膜电阻应变传感器的SiO2绝缘膜的方法,并对绝缘膜的电学特性进行了分析和测试.通过试验可知,Si02绝缘膜的质量与衬底表面的预处理有很大关系,如果衬底表面的预处理做的越好,表面缺陷和空洞基本消除,薄膜的致密性、附着力等性能就越好;磁控溅射机真空室的真空度对沉积薄膜的性能也有很大影响:退火处理的温度对薄膜应力的大小有很大影响。综上所述,Si02绝缘膜采用磁控溅射法溅射的效率高,溅射的膜质量较好,工艺简单,膜的附着力、薄膜应力、均匀性、表面光洁度、表面形貌等性能均较好。

薄膜电阻应变传感器 二氧化硅薄膜 磁控溅射 电学特性

唐俐 胡东平

中国工程物理研究院总体工程研究所,四川绵阳,621900

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第十二届全国敏感元件与传感器学术会议

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452-454

2012-11-03(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)