EISA法合成介孔SnO2及其结构表征
SnO2是一种重要的n型宽带隙半导体材料。本文以SnCl4·5H2O为锡源,P123为模板剂,采用挥发诱导自组装的方法合成了具有金红石结构的介孔二氧化锡,此方法具有操作简单、快速合成等优点.采用X射线衍射(XRD)、N2吸附一脱附、透射电子显微镜(TEM)及光致发光(PL)等手段对合成产物进行了表征.结果表明:合成SnO2粉体具有蠕虫状孔结构,其比表面积为100m2/g,孔径集中分布在5nm.此外,对合成产物的气敏性能进行测试,发现其对800×10-6乙醇的灵敏度高达41.67,具有较好的响应和恢复时间.
半导体材料 介孔二氧化锡 挥发诱导自组装法 金红石结构 气敏性能
李晓玉 欧阳静 杨华明
中南大学矿物材料研究中心资源加工与生物工程学院无机材料系 湖南长沙410083
国内会议
徐州
中文
1135-1140
2012-10-06（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）