圆柱形硅通孔的二维解析电容模型

摘要：

精确提取三维芯片中硅通孔(TSV)电容对于三维芯片的设计至关重要.在后钻孔工艺(Via-last technology)中TSV将穿越导体层,使得TSV和互连线之间的耦合电容需要精确建模.本文提出的解析公式方法可以快速提取圆柱形TSV与互连线间的二维耦合电容.对于较短的互连线,本文采用基于最小二乘拟合得到的解析公式,而对于较长的互连线,使用基于电场模拟得到的解析公式.数值实验表明和商业软件Raphael相比,本文方法可以在结果误差不超过9.1％的情况下获得几个数量级的加速.

关键词： 三维芯片 硅通孔 耦合电容 解析公式 二维解析电容模型

作者: 张青青 喻文健 骆祖莹

作者单位: 北京师范大学信息科学与技术学院,北京100875;清华大学计算机科学与技术系,北京100084 清华大学计算机科学与技术系,北京100084 北京师范大学信息科学与技术学院,北京100875

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十七届全国计算机辅助设计与图形学学术会议(CAD/CG’ 2012)暨第九届全国智能CAD与数字娱乐学术会议(CID’ 2012)

会议地点: 青岛

会议语种:中文

页码: 522-526

在线出版日期: 2012-07-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）