半导体桥火工品点火性能的研究
介绍了半导体桥点火的作用机理.研究了半导体桥点火特性,分析了半导体桥的结构特点、制造工艺和阻值特性,半导体桥的原材料为硅基片，厚度约为0.5mm，采用电子行业生产半导体的工艺过程制成半导体桥。首先，将硅基片切片，再经研磨、抛光到需要的厚度和光洁度，并用浓硫酸清洗，去离子水冲洗烘干，用湿氧化法在硅表面上生成二氧化硅层。其次，用低压化学气相沉积法(LPCVD)在多晶硅生长炉中沉积一层硅膜。在硅膜材料中加人掺杂可以控制多晶硅层的电阻率。例如，用磷使多晶硅重掺杂产生n-型材料，保证半导体桥有l”的标称电阻。再次，多晶硅层上涂覆光刻胶，并在甩胶机上将胶甩均匀，烘干。然后，将经过刻图照相、绘制有硅桥图形的光刻掩膜版和硅片紧密贴合在一起，并进行曝光。曝光后的硅片经显影、去胶，于是在硅片上就形成了与设计图形完全一样的硅桥。最后，将引线掩膜板与刻蚀有硅桥的硅片对准，放入真空室蒸上一层金属镀层，镀层厚度一般为3-4纳米，这样就获得了一个能实际应用的硅桥。一个硅基片上通常可制成数千个半导体桥。当镀覆完引线焊接区后，可将硅基片切割成单个芯片，每一个芯片上有一个半导体桥。
半导体桥火工品 点火性能 结构特点 制造工艺 阻值特性
匡治兵 聂煜 占必文
贵州久联民爆器材发展股份有限公司,贵州贵阳,550001
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2012-05-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）