水热合成法制备药用ZnO纳米线
本论文通过改变水热法中纳米线生长的温度,来考察温度对于纳米线生长的影响.首先使用sol-gel方法制备有氧化锌纳米颗粒的薄膜作为种子衬底,然后选择30mM浓度的浸泡液制作六个不同温度的氧化锌纳米线薄膜,最后通过光学显微镜从微观观察纳米线薄膜的表面,并在日光下通过纳米氧化锌的光致发光特征得出较高的温度能促进氧化锌纳米线的形成,减少氧化锌纳米线生长所需的时间,温度在70℃到85℃间纳米线生长缓慢,90℃到95℃间生长快速而且耗时小于2小时。
半导体材料 氧化锌纳米线 水热合成法 反应温度
刘超胜 魏明坤
武汉理工大学华夏学院,武汉 430223
国内会议
武汉
中文
190-192
2012-06-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）